Des chercheurs américains construisent le transistor en graphène le plus rapide du monde, est-ce l'avenir des circuits électroniques ?
L'avenir des circuits électroniques est-elle dans le graphène ? Des chercheurs américains construisent le transistor en graphène le plus rapide du monde
Des chercheurs californiens pensent qu'une révolution se prépare dans le domaine des processeurs et des composants. Alors que la norme actuelle est de fabriquer ces puces en silicium, une équipe de l'UCLA (Université de Los Angeles) travaille à l'élaboration d'un transistor ultra rapide en graphène (une couche atomique composée d'atomes de carbone qui s'organisent en hexagones, et qui donne le graphite). Cette matière serait la base des circuits électroniques du futur, et permettront d'atteindre des vitesses de traitement largement supérieures à celles offertes par le silicium.
Les chercheurs et ingénieurs travaillant sur le projet ont utilisé un fil minuscule (à l'échelle du nano) pour parvenir à construire leur transistor en graphène, qui affiche des performances époustouflantes : des pointes de 300 gigahertz dans des composants avec une distance entre la source et le drain de 140 nanomètres.
C'est deux fois plus rapide que le meilleur transistor field-effect semiconducteur « metal-oxide » en silicium actuel (avec proportions similaires ; et équivalent à ceux fabriqués en indium phosphide ou en gallium arsenide (des semi-conducteurs au tarif très élevé).
La fabrication du transistor en graphène a été certes complexe, mais pas si compliquée que cela d'après ses concepteurs qui pensent qu'avec quelques « petites modifications », le processus de création devrait être stable assez rapidement. « Ce composant à le potentiel d'entrer dans la tranche du terahertz », ajoutent-ils.
La structure électronique du graphène (qui est un cristal) permet aux charges de s'y déplacer aisément, d'où la possibilité de créer des circuits bien plus rapides que ceux en silicium.
Plus d'explications, notamment techniques et très complexes, se trouvent sur le site source (en anglais) : The California NanoSystems Institute at UCLA.
Des chercheurs californiens pensent qu'une révolution se prépare dans le domaine des processeurs et des composants. Alors que la norme actuelle est de fabriquer ces puces en silicium, une équipe de l'UCLA (Université de Los Angeles) travaille à l'élaboration d'un transistor ultra rapide en graphène (une couche atomique composée d'atomes de carbone qui s'organisent en hexagones, et qui donne le graphite). Cette matière serait la base des circuits électroniques du futur, et permettront d'atteindre des vitesses de traitement largement supérieures à celles offertes par le silicium.
Les chercheurs et ingénieurs travaillant sur le projet ont utilisé un fil minuscule (à l'échelle du nano) pour parvenir à construire leur transistor en graphène, qui affiche des performances époustouflantes : des pointes de 300 gigahertz dans des composants avec une distance entre la source et le drain de 140 nanomètres.
C'est deux fois plus rapide que le meilleur transistor field-effect semiconducteur « metal-oxide » en silicium actuel (avec proportions similaires ; et équivalent à ceux fabriqués en indium phosphide ou en gallium arsenide (des semi-conducteurs au tarif très élevé).
La fabrication du transistor en graphène a été certes complexe, mais pas si compliquée que cela d'après ses concepteurs qui pensent qu'avec quelques « petites modifications », le processus de création devrait être stable assez rapidement. « Ce composant à le potentiel d'entrer dans la tranche du terahertz », ajoutent-ils.
La structure électronique du graphène (qui est un cristal) permet aux charges de s'y déplacer aisément, d'où la possibilité de créer des circuits bien plus rapides que ceux en silicium.
Plus d'explications, notamment techniques et très complexes, se trouvent sur le site source (en anglais) : The California NanoSystems Institute at UCLA.
D'après Developpez.com
